"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция
Аверкиев Н.С.1, Гуткин А.А.1, Осипов Е.Б.1, Рещиков М.А.1, Седов В.Е.1, Сосновский В.Р.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

При температурах 4.2 и 77 К измерены спектры возбуждения и поляризационные диаграммы примесной фотолюминесценции n-GaAs : Te в широкой полосе с максимумом при энергии фотонов 1.18 эВ. Обнаружено существование двух возбужденных состояний примесного центра, вызывающего фотолюминесценцию. Показано, что результаты эксперимента объясняются в предположении о моноклинной симметрии этого центра. Равновесные моноклинные искажения центра при поглощении и излучении различны (двухдипольное приближение) из-за релаксации решетки. Оценены величины возможных расщеплений возбужденных состояний в этих равновесных конфигурациях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.