"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии
Емцев В.В.1, Клингер П.М.1, Машовец Т.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград
Выставление онлайн: 20 декабря 1990 г.

Исследовано влияние энергии и интенсивности облучения n-кремния быстрыми электронами на эффективность введения первичных собственных дефектов --- пар Френкеля и их компонентов: вакансий и межузельных атомов, а также дивакансий. Скорость образования дивакансий зависит от энергии бомбардирующих электронов в интервале 3/7 МэВ и не зависит от интенсивности облучения, что свидетельствует о доминирующей роли процесса первичной генерации дивакансий. Эффективный "выход" первичных радиационных дефектов (доля разделившихся пар Френкеля) не увеличивается с ростом энергии бомбардирующих электронов от 1 до 7 МэВ. Это означает, что радиус аннигиляции пары Френкеля существенно превышает среднее расстояние между ее компонентами.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.