Предложен механизм управления транзистором через полуизолирующую подложку. В его основе лежит гипотеза об изменении типа проводимости компенсированного полупроводника под действием электрического поля на генерацию дырок и электронов с глубокого уровня в результате эффекта Френкеля-Пулла. С единых позиций объяснены основные эксперименты паразитного управления транзистором через полуизолирующую подложку: пороговые и беспороговые характеристики управления, связь эффекта управления с суперлинейным ростом тока в подложке, природа низкочастотной неустойчивости. Показано, что эффект управления в ИС на GaAs определяется главным образом степенью компенсации подложки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.