"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Квантовый эффект Холла и g-фактор 2D-электронов в гетероструктурах на основе GaAs
Чудинов С.М., Кульбачинский В.А., Манчини Дж., Медведев Б.К., Родичев Д.Ю.
Выставление онлайн: 20 октября 1990 г.

Исследована температурная зависимость ширины плато Delta Bi В целочисленном квантовом эффекте Холла в гетероструктурах GaAs-Ga1-xAlxAs. Измерения проведены на образцах гетероструктур с концентрацией 2D-электронов N=(2.5/4)· 1011 см-2 и подвижностью mu=(3/8)·105 см2/В·с в области температур 0.05-4.2 K в магнитных полях Delta B до 8.5 T. Получены аналитические выражения для описания зависимости Delta Bi от T. Рассчитано среднее значение (gi) g-фактора 2D-электронов, соответствующее квантовым плато с различными номерами i. Обнаружено, что gi существенно зависит от магнитного поля: быстро возрастает в слабых полях и имеет тенденцию к насыщению --- в сильных. В интервале полей 2-5 T g-фактор увеличивается более чем в 1.6 раза. Найденная зависимость g от B согласуется с представлениями об обменном взаимодействии электронов на соседних подуровнях Ландау.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.