"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Селективная фоточувствительность гетероструктур a-Si/ c-Si в ближней инфракрасной области спектра
Будагян Б.Г.1, Шерченков А.А.1, Айвазов А.А.1
1Московский институт электронной техники, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 1995 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Исследованы спектральные характеристики фоточувствительности гетероструктур на основе n-a-Si/p-c-Si в диапазоне длин волн 500/1200 нм в зависимости от температуры предварительного нагрева подложек Ts и температуры отжига Ta. Показано, что максимум фоточувствительности с увеличением температуры предварительного нагрева подложек сдвигается в длинноволновую область спектра и при Ts=500 oC, Ta=200 oC наблюдается на длине волны lambda=1080 нм. Предложена модель энергетической диаграммы гетероструктуры n-a-Si/p-c-Si, учитывающая существование на границе раздела структуры промежуточного слоя, препятствующего образованию обедненной области в подложке c-Si. Полученные результаты указывают на перспективность использования гетероструктур n-a-Si/p-c-Si для создания датчиков инфракрасного излучения с управляемым положением максимума фоточувствительности.
  • H. Mimura, Y. Hatanaka. Appl. Phys. Lett., 45, 452 (1984)
  • H. Mimura, Y. Hatanaka. Japan. J. Appl. Phys., 26, 60 (1987)
  • Б.Г. Будагян, А.А. Айвазов, А.А. Шерченков, И.В. Филатова. В сб.: \it Тез. докл. VI науч.-техн. конф. "Датчик-95" (Гурзуф, 1995) ч. 1, с. 460
  • А.А. Айвазов, Б.Г. Будагян, О.Н. Становов, Д.А. Стряхилев. Зав. лаб., 1, 52 (1992)
  • H. Matsuura, T. Okuno, H. Okushi, K. Tanaka. J. Appl. Phys., 55 1012 (1984)
  • A.K. Batabyal, P. Chaudhuri, Ray Swati, K. Barua. Thin Sol. Films, 112, 51 (1984)
  • \it Аморфный кремний и родственные материалы, под ред. Х. Фрицше (М., Мир, 1991)
  • А. Меден, М. Шо. \it Физика и применение аморфных полупроводников (М., Мир, 1991)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.