"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния
Аверкиев Н.С.1, Капитонова Л.М.1, Лебедев А.А.1, Ременюк А.Д.1, Смирнова Н.Н.1, Шик А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Обнаружен эффект низкочастотной дисперсии емкости структур из пористого кремния. Показано, что эффект обусловлен особенностью релаксации заряда в двумерных проводящих нанокристаллитах, из которых состоят исследуемые образцы пористого кремния.
  1. A. Shik. J. Phys.: Cond. Matter., 4, 1335 (1992)
  2. Н.С. Аверкиев, А.Я. Шик. ФТП, 30, 199 (1996)
  3. А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1846 (1993)
  4. С.В. Белов, О.А. Зайцев, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, вып. 3, 30 (1995)
  5. Э.А. Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох, Э.А. Сморгонская. \it Тезисы докладов 2-й Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996) т. 2, с.120
  6. M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch, W. Schirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev. B, 51, 2199 (1995)
  7. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  8. C.T. Sah, V.G.K. Reddi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-11, 345 (1964)
  9. В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТП, 1, 1693 (1967)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1977)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.