"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Частотная зависимость емкости в структурах на основе пористого кремния
Аверкиев Н.С.1, Капитонова Л.М.1, Лебедев А.А.1, Ременюк А.Д.1, Смирнова Н.Н.1, Шик А.Я.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1996 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1996 г.

Обнаружен эффект низкочастотной дисперсии емкости структур из пористого кремния. Показано, что эффект обусловлен особенностью релаксации заряда в двумерных проводящих нанокристаллитах, из которых состоят исследуемые образцы пористого кремния.
  • A. Shik. J. Phys.: Cond. Matter., 4, 1335 (1992)
  • Н.С. Аверкиев, А.Я. Шик. ФТП, 30, 199 (1996)
  • А.А. Лебедев, А.Д. Ременюк, Ю.В. Рудь. ФТП, 27, 1846 (1993)
  • С.В. Белов, О.А. Зайцев, А.А. Лебедев. Письма ЖТФ, 21, вып. 3, 30 (1995)
  • Э.А. Лебедев, Г. Полисский, В. Петрова-Кох, Э.А. Сморгонская. \it Тезисы докладов 2-й Российской конференции по физике полупроводников (Зеленогорск, 1996) т. 2, с.120
  • M. Ben-Chorin, F. Moller, F. Koch, W. Schirmacher, M. Eberhard. Phys. Rev. B, 51, 2199 (1995)
  • Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  • C.T. Sah, V.G.K. Reddi. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-11, 345 (1964)
  • В.И. Перель, А.Л. Эфрос. ФТП, 1, 1693 (1967)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.