Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Кинетика образования и разрушения индуцированных радиационно-термическим воздействием пар V_As Zn_Ga в p-GaAs<Zn >

Глинчук К.Д.¹, Прохорович А.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 23 октября 1995 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1996 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Изучено влияние электронного облучения (с дозой Phi=10¹⁶ см^-2) и последующих отжигов (при температуре T=150/350^o C, в течение времени t=10/600 мин) кристаллов p-GaAs<Zn> на образование и диссоциацию пар V_As Zn_Ga. Анализ кинетики образования и диссоциации пар V_As Zn_Ga позволил определить коэффициент диффузии радиационно-стимулированных вакансий мышьяка D (D=1.5·10^-18, 1·10^-17 и 5·10^-17 см²/с при 150, 175 и 200^o C соответственно), энергию активации процесса их диффузии varepsilon_m (varepsilon_m=1.1 эВ), а также энергию диссоциации последних varepsilon_d (varepsilon_d=1.6 эВ).

K.D. Glinchuk, V.I. Guroshev, A.V. Prokhorovich, N.S. Zayats. Cryst. Res. Technol., 21, 811 (1986)
К.Д. Глинчук, Н.С. Заяц, А.В. Прохорович. ФТП, 23, 657 (1989)
К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 25, 82 (1991)
К.Д. Глинчук, В.И. Гурошев, А.В. Прохорович. ФТП, 30, (1996)
D. Stievenard, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., 59, 743 (1986)
D. Stievenard, X. Boddaert, J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben. Phys. Rev. B, 41, 5271 (1990)
В.М. Глазов, В.С. Земсков. \it Физико-химические основы легирования полупроводников (М., Наука, 1967)
Ф. Крегер. Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
A. Ourmazd, W. Schr\ddot oter. J. Appl. Phys., 56, 1670 (1984)
T. Zundel. Phys. Rev. B, 39, 13 549 (1989)
Л.С. Смирнов. \it Физические процессы в облученных полупроводниках (Новосибирск, Наука, 1977)
D. Pons, J.C. Bourgoin. J. Phys. C, 18, 3839 (1985)
G. Dlubek. Phys. St. Sol. (a), 102, 443 (1987)
J.C. Bourgoin, H.J. Bardeleben, D. Stievenard. Phys. St. Sol. (a), 102, 499 (1987)
W. Pfeiffer, Appl. Phys. Lett., 58, 1751 (1991)
S.J. Pearton. Appl. Phys. Lett., 59, 3571 (1991)
S.J. Pearton, N.S. Hobson, C.R. Abernathy. Appl. Phys. Lett., 61, 1588 (1992)
A.B. Conibear, A.W. Leitch. Phys. Rev. B, 49, 5069 (1994)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель