"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование поверхностной рекомбинации в p- i- n-структурах на основе аморфного гидрированного кремния
Феоктистов Н.А.1, Певцов А.Б.1, Косарев А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 ноября 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Исследовано влияние поверхностной рекомбинации на фотоэлектрические характеристики структур на основе аморфного гидрированного кремния. Получены аналитические зависимости для фототока барьерных структур на основе a-Si : H, учитывающие вклад поверхностной рекомбинации и позволяющие определять величину эффективной скорости поверхностной рекомбинации. Выполнено исследование влияния параметров изготовления p-слоя и промежуточных обработок p-слоя между процессами нанесения p- и i- слоев на эффективную скорость поверхностной рекомбинации p-i-границы.
  • \it Аморфные полупроводники и приборы на их основе, под ред. И. Хамакавы (М., Металлургия, 1986)
  • D. Gutkowicz-Krusin. J. Appl. Phys., 52, 5370 (1981)
  • M. Hack, M. Shur. J. Appl. Phys., 54, 5858 (1983)
  • А.А. Андреев, Б.И. Гильман, Н.А. Феоктистов, В.Ю. Флоринский, Е.И. Теруков. ФТП, 17, 1869 (1983)
  • H. Okamoto, H. Kida, S. Nonomura, Y. Hamakawa. Solar cells, 8, 317 (1983)
  • W. Kusian, K.P. Ufert, H. Pfleiderer. \it Hydrogenated amorphous silicon, pt. 2 [Sol. St. Phen., 44--46, 823 (1995)]
  • С.М. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Энергия, 1973)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.