"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрофизические характеристики структур Au/CaF 2/ n -Si< 111> с супертонкими (менее 20 нм) слоями CaF 2, выращенными методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Альварес Х.К.1, Векслер М.И.1, Грехов И.В.1, Н.С.1, Шулекин А.Ф.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии получены структуры Au/CaF2/n-Si< 111> с толщиной пленки CaF2 d от 1.9 до 20.9 нм. Диэлектрическая прочность выращенных слоев фторида составляет (4-5)· 106 В/см при d<6 нм и порядка 1.5· 106 В/см при 10 нм<d<20 нм. Снижение прочности с ростом толщины связывается с частичной ''релаксацией'' слоя CaF2. Приведены вольт-амперные характеристики структур Au/CaF2/n-Si<111>. Показано, что ток в этих структурах состоит только из электронной компоненты. Объяснено отсутствие фоточувствительности у исследуемых структур для малой энергии фотонов (менее 3 эВ).
  • \it Crystals with fluorite structure: electronic, vibrational and defect properties, ed. by W. Hayes (Clarendon Press, Oxford, 1974)
  • И.В. Грехов, А.Ф. Шулекин, М.И. Векслер. ФТП, 27, 88 (1993)
  • А.А. Величко, С.К. Ноак. Обзоры по электрон. техн. Сер. 3. Микроэлектроника, вып. 7 (1986)
  • R.W. Fathauer, L.J. Schowalter. J. Electron. Mater., 16, 169 (1987)
  • F.J. Himpsel, F.U. Hillebrecht, G. Hughes, J.L. Iordan, U.O. Karlsson, F.R. McFeely, J.F. Morar, D. Rieger. Appl. Phys. Lett., 48, 596 (1986)
  • A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  • M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (9174)
  • С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1. [Пер. с англ.: S.M.Sze. \it Physics of Semiconductor Devices (John Wiley and Sons. N. Y., 1981)]
  • D.J. DiMaria, D. Arnold, E. Cartier. Appl. Phys. Lett., 61, 2329 (1992)
  • P.V. Dressendorfer, R.C. Barker. Appl. Phys. Lett., 36, 933 (1980)
  • D. Rieger, F.J. Himpsel, U.O. Karlsson, F.R. McFeely, J.F. Morar, J.A. Yarmoff. Phys. Rev. B, 34, 7295 (1986)
  • V.V. Afanas'ev, S.N. Novikov, N.S. Sokolov, N.L. Yakovlev. Microelectron. Engineering, 15, 139 (1991)
  • L.V. Schowalter, R.W. Fathauer, F.A. Ponce, G. Anderson, Shin Hashimoto. Mat. Res. Soc. Symp., 67, 125 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.