"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Методика быстрого определения поверхностных параметров планарно-неоднородных МДП структур
Бормонтов Е.Н.1, Головин С.В.1, Котов С.В.1, Лукин С.В.1
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Поступила в редакцию: 21 июня 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Предложена простая экспериментальная методика определения плотности поверхностных состояний, их сечения захвата с учетом неоднородного распределения поверхностного потенциала в МДП структуре. В отличие от известных методик, основанных на анализе частотных или температурных зависимостей малосигнальной проводимости МДП структур, усредненные значения параметров поверхностных состояний и величина стандартного отклонения флуктуаций поверхностного потенциала рассчитываются по результатам измерения характеристики проводимость--напряжение при фиксированных частоте и температуре.
  1. В.Г. Литовченко, А.П. Горбань. \it Основы физики микроэлектронных систем металл--диэлектрик--полупроводник (Киев, Наук. думка, 1978)
  2. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. \it Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  3. P. Muls, G. Declerck, R. Overstraeten. Sol. St. Electron., 20, 911 (1977)
  4. М.А. Байрамов, А.С. Веденеев, А.Г. Ждан. ФТП, 23, 2122 (1989)
  5. E.H. Nicollian, A. Goetzberger. Bell Syst. Techn. J., 46, 1055 (1967)
  6. Е.Н. Бормонтов, С.В. Котов, С.В. Лукин, С.В. Головин. ФТП, 29, 646 (1995)
  7. R.D.S. Yadava. Sol. St. Electron., 33, 127 (1990)
  8. J.R. Brews. Sol. St. Electron., 26, 711 (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.