"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общие закономерности диффузии примесей в Cd 0.2Hg 0.8Te
Горшков А.В.1, Бовина Л.А.1, Стафеев В.И.1
1Государственный научный центр Российской Федерации ГП ''НПО Орион'' Москва, Россия
Поступила в редакцию: 31 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1996 г.

Методом меченых атомов изучена диффузия Na, K, Ca, C, Cr, Fe, Co, Ni в Cd0.2Hg0.8Te. Определены основные параметры процесса диффузии. Проведено обобщение экспериментальных результатов по диффузии 17 элементов в соединениях кадмий--ртуть--теллур. Установлена зависимость механизма миграции от размера атомов. Получены эмпирические уравнения для расчета энергии активации E act и предэкспоненциального множителя (D0) в выражении для коэффициэнта диффузии D=D0(-E act/kT) по характеристикам диффузанта (энтропия плавления, масса атома) и кристалла (постоянная решетки, температура солидуса). Проведенное сравнение экспериментальных и расчетных значений параметров диффузии свидетельствует об их удовлетворительном согласии.
  • Ф.А. Заитов, Л.А. Бовина, В.И. Стафеев. \it Матер. III Всес. совещ., "Проблемы физики соединений A^2B^6" (Вильнюс, 1972) т. 1, с. 165
  • А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин. ФТТ, 25, 2662 (1983)
  • А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин, И.Н. Петров, И.С. Асатурова. ФТТ, 26, 2960 (1984)
  • А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 20, 1331 (1984)
  • J.S. Chen, F.A. Kroger, W.L. Ahlgren. In:\it Ext. Abstr. Workshop on Physics and Chemistry of MCT (San Diego, C. A., 1984)
  • D. Shaw. Phys. St. Sol (a), 89, 173 (1985)
  • D. Shaw. Phil. Mag. A, 53, 727 (1986)
  • D. Shaw. J. Cryst. Growth, 86, 778 (1988)
  • M.F. Sung Tang, D.A. Stevenson. J. Vac. Sci. Technol. A, 7, 544 (1989)
  • А.В. Горшков, Ф.А. Заитов, Г.М. Шаляпина, С.Б. Шангин, И.С. Асатурова. ФТТ, 26, 3233 (1984)
  • Ф. Крегер. \it Химия несовершенных кристаллов (М., Мир, 1969)
  • Ф.А. Заитов, Ф.К. Исаев, А.В. Горшков. \it Дефектообразование и диффузионные процессы в некоторых полупроводниковых твердых растворах (Баку, Азернешр, 1984)
  • А.В. Горшков. Высокочистые вещества, 6, 207 (1989)
  • Б.И. Болтакс. \it Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках (Л, Наука, 1972)
  • \it Атомная диффузия в полупроводниках, под ред. Д. Шоу (М, Мир, 1975)
  • \it Физическое металловедение, под ред. Р. Кана (М., Мир, 1967)
  • \it Химический энциклопедический словарь (М., Сов. энциклопедия, 1983)
  • K. Weiser. Phys. Rev., 126, 1427 (1962)
  • A.Seeger, M.L. Swanson. In:\it Lattice Defects in Semiconductors, ed. by R.R. Hasiqute (University of Tokyo Press., Tokyo, 1968) p. 93
  • E.A. Secco, R.S.C. Yeo. Canad. J. Chem., 49, 1953 (1971)
  • R.A. Reynolds, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 30, 139 (1969)
  • O.P. Agnihotri, C.L. Chohra. Japan. J. Appl. Phys., 18, 317 (1979)
  • M. Aven, E.L. Kreiger. J. Appl. Phys., 41, 1930 (1970)
  • H.H. Woodbory. Phys. Rev., 134, A492 (1964)
  • E.D. Jones. J. Phys. Chem. Sol., 33, 2063 (1972)
  • D. Shaw. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 17, 4759 (1984)
  • E. Nebauer. Phys. St. Sol., 29, 269 (1968)
  • R.C. Whelan, D. Shaw. In: \it II--VI Semiconducting Compounds, ed. by D.G. Thomas (Behjamin, N. Y., 1967) p. 451
  • P.M. Borsenberger, D.A. Stevenson. J. Phys. Chem. Sol., 29, 1277 (1968)
  • S.S. Chern, F.A. Kroger. Phys. St. Sol., 25, 215 (1974)
  • П.И. Фейчук, О.Э. Панчук, Л.И. Щербак. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 15, 1762 (1979)
  • H. Kato, S. Takajanagi. Japan. J. Appl. Phys., 2, 250 (1963)
  • M. Hage-Ali, I.V. Mitchel, J.J. Grob. Thin Sol. Films, 19, 409 (1973)
  • J. Teramoto. J. Phys. Soc. Jap., 17, 1137 (1962)
  • P. Gosar. Nuovo Cimento, 31, 781 (1964)
  • G.F. Nardelli, L. Reatto. Physica, 31, 541 (1965)
  • C. Wert, C. Zener. Phys. Rev., 76, 1169 (1949)
  • B.J. Masters, J.M. Fairfield. Appl. Phys. Lett., 8, 280 (1966)
  • R.F. Peart. Phys. St. Sol., 15, K 119 (1966)
  • M. Okamura. J. Appl. Phys. Japan., 8, 1440 (1969)
  • C.S. Fuller, J.A. Ditzenberger. J. Appl. Phys., 27, 544 (1956)
  • B.J. Masters, J.M. Fairfield. J. Appl. Phys., 40, 2390 (1969)
  • J.J. Rohan, N.E. Pickering, J. Kennedy. J. Electrochem. Soc., 106, 705 (1959)
  • C.S. Fuller, J.C. Severiens. Phys. Rev., 96, 21 (1954)
  • L. Svob. Sol. St. Electron. 10, 991 (1967)
  • L.C. Luther, W.J. Moore. J. Chem. Phys., 41, 1018 (1964)
  • W.R. Wilcox, T.J. Lachapelle. J. Appl. Phys., 35, 240 (1964)
  • С.А. Айвазян, И.С. Енков, Л.Д. Мешалкин. \it Прикладная статистика. Исследование зависимостей (М., Финансы и статистика, 1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.