Изготовлены контакты In, Al, Au к p-Ge путем термического напыления (In, Al) или электрохимического осаждения (Au) металла и последующего отжига при различных температурах в атмосфере водорода. Исследованы вольт-амперные и вольт-ваттные характеристики контактов In-p-Ge, Al-p-Ge, Au-p-Ge с использованием импульсов тока или СВЧ излучения в интервале температур решетки 80/300 K. В случае контактов In-p-Ge влияние температуры отжига на характеристики пренебрежимо мало, однако для контактов с Al и Au оно становится существенным. В диодах Au-p-Ge зависимость сигнала от действующей СВЧ мощности немонотонна. Вольт-амперная и вольт-ваттная характеристики диодов зависят от сопротивления контакта. Показано, что этот эффект может быть уменьшен за счет использования контакта в виде узкой полосы.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.