"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние неравномерного по площади распределения примеси на определение ее концентрации
Лебедев А.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 19 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

При неравномерном по площади легировании полупроводника концентрация мелкой примеси N, определенная из вольт-фарадных характеристик диодов, всегда меньше средней по площади концентрации примеси. Возможна значительная разница в величине N, полученной при измерении различными методами.
  1. Г. Хениш. \it Полупроводниковые выпрямители (М., Изд-во иностр. лит., 1951)
  2. Л.С. Берман, А.А. Лебедев. \it Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках (Л., Наука, 1981)
  3. В.В. Батавин, Ю.А. Концевой, Ю.В. Федорович. \it Измерение параметров полупроводниковых материалов и структур (М., Радио и связь, 1985)
  4. А.А. Лебедев, Н.А. Соболев, Б.М. Урунбаев. ФТП, 16, 1874 (1982)
  5. Е.В. Астрова, А.А. Лебедев, А.А. Лебедев. ФТП, 19, 1382 (1985)
  6. Э. Беккенбах, Р. Белламан. Неравенства (М., Мир, 1965)
  7. А.Г. Цыпкин, Г.Г. Цыпкин. \it Математические формулы (М., Наука, 1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.