"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние формы края фундаментального поглощения на форму спектра зеленой люминесценции кристаллов CdS
Борковская Л.В.1, Джумаев Б.Р.1, Корсунская Н.Е.1, Маркевич И.В.1, Сингаевский А.Ф.1
1Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

В кристаллах CdS с различной концентрацией мелких нескомпенсированных доноров Nd исследовалась связь между формой спектров зеленой люминесценции и спектров поглощения при 77 K, а также зависимость формы спектра зеленой люминесценции от интенсивности возбуждения и температуры в области 77/4.2 K. Показано, что рост интенсивности фононных повторений по отношению к интенсивности нуль-фононной линии при увеличении Nd обусловлен сдвигом края поглощения в область более длинных волн вследствие влияния полей ионизированных мелких доноров на край зоны проводимости.
  • \it Физика и химия соединений A_2B_6, под ред. С.А. Медведева (М., Мир, 1970)
  • J.J. Hoppfield. J. Phys. Chem. Sol., 10, 110 (1959)
  • R.E. Halsted, M. Aven, H.D. Coghill. J. Electrochem. Soc., 112, 177 (1965)
  • C.Z. Van Doorn. J. Phys. Chem. Sol., 29, 599 (1968)
  • Н.Н. Герасименко, А.В. Двуреченский, Л.Н. Сафронов. ФТП, 4, 478 (1970)
  • Н.Е. Корсунская, Н.М. Кролевец, И.В. Маркевич, Т.В. Торчинская. ФТП, 10, 293 (1976)
  • В.Ф. Гринь, Д.С. Лепсверидзе, Е.А. Сальков, Г.А. Шепельский. Письма ЖЭТФ, 21, 415 (1975)
  • М.П. Лисица, М.Я. Валах, С.Ф. Терехова. ФТТ, 8, 305 (1966)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.