"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор
Курова И.А.1, Мирошник О.Н.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Исследовано влияние высокотемпературного отжига на темновую проводимость и фотопроводимость пленок a-Si : H, содержащих одновременно донорную (P) и акцепторную (B) примеси.
  1. D.L. Stabler, S.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 37, 609 (1980)
  2. J.C. Chou, S.K. Hsiung, C.Y. Lu. J. Appl. Phys., 26, 1971 (1987)
  3. А.Г. Казанский, Е.П. Милевич. ФТП, 23, 2027 (1989)
  4. T. Sakka, K. Toyoda, M. Iwasak. Appl. Phys. Lett., 55, 1068 (1989)
  5. W. Bayer, H. Wagner. J. Physicue, Colloque C4, 42, 783 (1981)
  6. S.H. Yang, Choachon Lee. Phil. Mag. B, 53, N 4, 293 (1986)
  7. И.А. Курова, А.И. Дупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
  8. S.C. Agarwal, S. Guha. Phys. Rev. B, 32, 8468 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.