"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние высокотемпературного отжига на электрические свойства компенсированных пленок a-Si:H, содержащих бор и фтор
Курова И.А.1, Мирошник О.Н.1, Ормонт Н.Н.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 9 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Исследовано влияние высокотемпературного отжига на темновую проводимость и фотопроводимость пленок a-Si : H, содержащих одновременно донорную (P) и акцепторную (B) примеси.
  • D.L. Stabler, S.I. Pankove. Appl. Phys. Lett., 37, 609 (1980)
  • J.C. Chou, S.K. Hsiung, C.Y. Lu. J. Appl. Phys., 26, 1971 (1987)
  • А.Г. Казанский, Е.П. Милевич. ФТП, 23, 2027 (1989)
  • T. Sakka, K. Toyoda, M. Iwasak. Appl. Phys. Lett., 55, 1068 (1989)
  • W. Bayer, H. Wagner. J. Physicue, Colloque C4, 42, 783 (1981)
  • S.H. Yang, Choachon Lee. Phil. Mag. B, 53, N 4, 293 (1986)
  • И.А. Курова, А.И. Дупачева, Н.В. Мелешко, Э.В. Ларина. ФТП, 28, 1092 (1994)
  • S.C. Agarwal, S. Guha. Phys. Rev. B, 32, 8468 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.