"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Мониторинг процессов формирования и удаления сверхтонких слоев SiO 2 на исходной гидрогенизованной поверхности монокристаллического кремния
Романов О.В.1, Бершев Н.Е.1
1Научно-исследовательский институт физики, Петродворец, Россия
Поступила в редакцию: 19 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

  1. E.H. Nicollian, J.R. Brems. \it MOS Physics and Technology (J.Wiley, N.Y., 1982)
  2. \it Instabilities in Silicon Devices, ed. by G, Barbotin, A. Vapaille (Elsevier, Ansterdam, 1989)
  3. V.K. Adamchuk, V.V. Afanasev. Prog. Surf. Sci., 41, 111 (1992)
  4. W.H. Brattain, P.J. Boddy. Electrochem. Soc., 109, 574 (1962)
  5. О.В. Романов, П.П. Коноров. 8, 13 (1966)
  6. O.V. Romanov. Anal. de Fis., Ser. 86, 34 (1990)
  7. O.V. Romanov, A.M. Belygh, E.L. Krasnov, V.I. Kalenik. Burf. Sci., 269/270, 1032 (1992)
  8. О.В. Романов, С.Н. Султанмагомедов. Вестн. ЛГУ. Физика. Химия, 10, 46 (1980)
  9. J.M.C. Thornton, R.H. Williams. Semicond.Sci. Techn., 4, 847 (1989)
  10. О.В. Романов, И.А. Котов. ФТП, 30, 707 (1996)
  11. S. Yoon, M.H. White. J. Electron. Mater., 19, 487 (1990)
  12. В.В. Игнатьев, С.П. Трунов. Электрон. техн., сер. 3, Микроэлектроника, 3 (127), 58 (1988)
  13. H. Fukuda, K. Iwabuchi, S. Ohno. Jap. J. Appl. Phys. (2), 27, 2164 (1988)
  14. A. Goetzberger, V. Heine, E.H. Nicollian. Appl. Lett., 12, 95 (1968)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.