"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общая и тонкая структура распределения собственных ловушек по толщине аморфного термического SiO2 на Si
Романов О.В.1, Котов И.А.1
1Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 5 декабря 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

В работе решалась задача экспериментального анализа общей и тонкой структуры распределения по глубине собственных ловушек донорного и акцепторного типа в тонких слоях термического аморфного диоксида кремния на монокристаллическом кремнии, полученных различными промышленными технологиями (di=30/60 нм). С использованием методов комплексного эффекта поля в электролитах, прецизионного послойного химического растворения пленки SiO2 и лазерной эллипсометрии было впервые установлено существование трех областей локализации собственных ловушек структурно химической природы по толщине тонкого аморфного слоя SiO2: область вблизи внутренней границы раздела Si/SiO2 толщиной 3.5/5 нм; область вблизи внешней границы раздела SiO2--воздух толщиной 4/6 нм и область, которая разделяет две предыдущие области и характеризуется низкой плотностью акцепторных и донорных ловушек. Полученные результаты позволяют разработать совершенно новые подходы как в области фундаментальных представлений о тонких и сверхтонких диэлектриках, так и в технологии сверхбольших интегральных схем следующего поколения.
  • J.E. Thomas, D.R. Young. IBM J. Dev. Res., 8, 368 (1964)
  • A.S. Grove, B.E. Deal, E.H. Snow, C.T. Sah. Sol. St. Electron., 8, 145 (1965)
  • Л.К. Думиньш, В.Н. Ребров, Ю.В. Федорович. Электрон. приборостроение, вып. 4, 45 (1968)
  • О.В. Романов. ФТП, 16, 419 (1982)
  • \it Instabilities in Silicon Devices, ed. By G.Barbotin, A.Vapaille (Elsevier, Amsterdam, 1989)
  • А.В. Плотников, В.С. Вавилов. ФТП, 7, 878 (1973)
  • D.B. Mott, S.P. Buchner. Appl. Phys. Lett., 51, 1643 (1987)
  • А.Я. Вуль, А.Т. Дидейкин, В.Ю. Осипов, С.К. Бойцов, Ю.С. Зинчик, Т.Л. Макарова. ФТП, 26, 146 (1992)
  • V.K. Adamchuk, V.V. Afanas'ev. Progr. Surf. Sci., 41, 111 (1992)
  • W.H. Brattain, P.J. Boddy. J. Electrochem. Soc., 109, 574 (1962)
  • О.В. Романов, П.П. Коноров. ФТТ, 8, 13 (1966)
  • O.V. Romanov. Anal. de Fis., Ser. B, 86, 34 (1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.