В работе решалась задача экспериментального анализа общей и тонкой структуры распределения по глубине собственных ловушек донорного и акцепторного типа в тонких слоях термического аморфного диоксида кремния на монокристаллическом кремнии, полученных различными промышленными технологиями (d_i=30/60 нм). С использованием методов комплексного эффекта поля в электролитах, прецизионного послойного химического растворения пленки SiO₂ и лазерной эллипсометрии было впервые установлено существование трех областей локализации собственных ловушек структурно химической природы по толщине тонкого аморфного слоя SiO₂: область вблизи внутренней границы раздела Si/SiO₂ толщиной 3.5/5 нм; область вблизи внешней границы раздела SiO₂-воздух толщиной 4/6 нм и область, которая разделяет две предыдущие области и характеризуется низкой плотностью акцепторных и донорных ловушек. Полученные результаты позволяют разработать совершенно новые подходы как в области фундаментальных представлений о тонких и сверхтонких диэлектриках, так и в технологии сверхбольших интегральных схем следующего поколения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.