"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электропоглощение и лазерная генерация в диодах с квантовыми ямами ZnCdSe/ZnSeS
Торопов А.А.1, Иванов С.В.1, Шубина Т.В.1, Лебедев А.В.1, Сорокин С.В.1, Ильинская Н.Д.1, Максимов М.В.1, Копьев П.С.1, Парк Х.С.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт прогрессивных технологий корпорации ''Самсунг Электроникс'', 440-600 Сувон, Республика Корея
Поступила в редакцию: 5 июля 1995 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1996 г.

Исследованы спектральные электрооптические характеристики ZnCdSe/ZnSeS лазерных диодов с относительно широкими квантовыми ямами (12--15 нм). Измеренные при 300 K спектры дифференциального волноводного электропропускания позволили идентифицировать наблюдаемый эффект электрического поля как эффект Келдыша--Франца и определить положения краев поглощения, связанных с тяжелыми и легкими дырками. Проведен сравнительный анализ спектров лазерной генерации для структур, содержащих одну или несколько квантовых ям. В структуре с одиночной квантовой ямой генерация возникает вблизи края поглощения тяжелых дырок, демонстрируя несущественность роли экситонов в процессе оптического усиления. Дополнительное поглощение в неоднородно накаченных слоях активной области лазера с несколькими квантовыми ямами обуславливает большие пороги и меньшую внешнюю квантовую эффективность генерации.
  • M.A. Haase, J. Qiu, J.M. Depuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 59, 1273 (1991)
  • D.C. Grillo, Y. Fan, J. Han, L. He, R.L. Gunshor, A. Salokatve, M. Hagerott, H. Jeon, A.V. Nuurmikko, G.C. Hua, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 63, 2723 (1993)
  • T. Ohata, S. Itoh, N. Nakayama, S. Matsumoto, K. Nakano, M. Ozawa, H. Okuyama, S. Tomiya, M. Ikeda, A. Ishibashi. \it International Workshop: ZnSe-Based Blue-Green Laser Structures, Wurzburg, Sep. 18--23, 1994
  • J.M. DePuydt, M.A. Haase, S. Guha, J. Qiu, H. Cheng, B.J. Wu, G.E. Hцfler, G. Meis-Haugen, M.S. Hagedorn, P.F. Baude. J. Cryst. Growth, 138, 667 (1994)
  • A. Ishibashi, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 138, 677 (1994)
  • Y. Fan, J. Han, L. He, J. Saraie, R.L. Gunshor, M. Hagerott, H. Jeon, V. Nurmikko, G.C. Hua, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 61 (1992)
  • D. Ahn, T.K. Yoo, H.Y. Lee. Appl. Phys. Lett., 59, 2669 (1991)
  • J. Ding, H. Jeon, T. Ishihara, M. Hagerott, A.V. Nurmikko, H. Luo, M. Samarth, J. Furdyna. Phys. Rev. Lett., 69, 1707 (1992)
  • J. Ding, M. Hagerrot, T. Ishihara, H. Jeon, A.V. Nurmikko. Phys. Rev. B, 47, 10528 (1993)
  • Y. Kawakami, I. Hauksson, J. Simpson, H. Stewart, I. Galbraith, K.A. Prior, B.C. Cavenett. J. Cryst. Growth, 138, 759 (1994)
  • J. Ding, M. Hagerott, A. Salokatve, H. Jeon, A. Nurmikko, D.C. Grillo, J. Han, H. Li, R.L. Gunshor. Phys. Rev. B, 50, 5787 (1994)
  • P.M. Mensz. J. Cryst. Growth, 138, 697 (1994)
  • S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, T.V. Shubina, A.A. Toropov. Semicond. Sci. Technol., 8, 357 (1993)
  • Zh.I. Alferov, S.V. Ivanov, P.S. Kop'ev, A.V. Lebedev, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, I.V. Sedova, T.V. Shubina, A.A. Toropov. Superlat. Microstruct., 15, 65 (1994)
  • D.B. Hall, C. Yeh. J. Appl. Phys., 44, 2271 (1973)
  • S. Ozaki, S. Adachi. J. Appl. Phys., 75, 7470 (1994)
  • N.T. Pelekanos, J. Ding, M. Hagerott, A.V. Nurmikko, H. Luo, N. Samarth, J.K. Furdyna. Phys. Rev. B, 45, 6037 (1992)
  • D.A.B. Miller, D.S. Chemla, T.C. Damen, A.C. Gossard, W. Wiegmann, T.H. Wood, C.A. Burrus. Phys. Rev. B, 32, 1043 (1985)
  • D.A.B. Miller, D.S. Chemla, S. Schmitt-Rink. Phys. Rev. B, 33, 6976 (1986)
  • K. Tharmalingam. Phys. Rev., 130, 2204 (1963)
  • C.G. Van de Walle. Phys. Rev. B, 39, 1871 (1989)
  • Y. Wu, K. Ichino, Y. Kawakami, S. Fujita, S. Fujita. Jpn. J. Appl. Phys., 31, 1737 (1992)
  • N.K. Dutta. IEEE J. Quant. Electron., 19, 794 (1983)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.