Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоприемники с управляемым спектром фоточувствительности
1Физико-технический институт НПО ”Физика−Солнце“ Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан 
Поступила в редакцию: 10 ноября 1994 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 1996 г.
Рассматриваются особенности спектрального распределения фоточувствительности фотоприемников ультрафиолетовой части спектра, изготовленных на основе твердого раствора ZnxCd1-xS. Установлено, что в фотодиодном режиме в спектре Vf(lambda) наблюдается две точки инверсии знака фотоэдс. Показано, что положение более коротковолновой точки инверсии Vf1 линейно зависит от приложенного напряжения смещения. Особенности спектрального распределения фотоэдс в таких фотоприемниках объясняются инжекцией неосновных неравновесных носителей-электронов - в слой объемного заряда из межзеренных прослоек и наличием в фотоприемнике двух переходов, включенных в противоположных направлениях.
- Ш.А. Мирсагатов, П.И. Книгин, Х. Розиков. ФТП, 23, 374 (1989)
- Ш.А. Мирсагатов, Х. Розиков. Гелиотехника, N 2, 23 (1993)
- В.И. Стафеев. ЖЭТФ, 27, 2095 (1957)
- Ш.А. Мирсагатов, А.И. Султанов. Электрон. техн., сер. Лазерная техника и оптоэлетроника, 55, 98 (1990)
- М. Ламперт, П. Марк. \it Инжекционные токи в твердых телах (М., 1973)
- К. Чопра, С. Дас. \it Тонкопленочные солнечные элементы (М., 1986)
- А. Милнс, Д. Фойхт. \it Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник (М., 1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
