"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электрические свойства диодных структур металл--полупроводник на основе разупорядоченных слоев GaP
Слободчиков С.В.1, Руссу Е.В.1, Салихов Х.М.1, Мередов М.М.1, Язлыева А.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 февраля 1995 г.
Выставление онлайн: 20 января 1996 г.

Созданы разупорядоченные слои на кристаллах GaP, полученных как методом Чохральского, так и жидкофазной эпитаксией. Разупорядоченные слои получены электролитическим травлением в режиме анодного окисления GaP в водных растворах цитрата аммония. В диодных структурах, созданных на основе этих разупорядоченных слоев Pd--n-GaP и Au--n-GaP, исследованы статические вольт-амперные характеристики и переходные токи. Установлено, что токоперенос определяется токами двойной инжекции в диффузионном приближении I~exp qV mkT с высокими значениями m с учетом набора уровней захвата большой плотности. Переходные характеристики токов двойной инжекции имеют широкую дисперсию в виде I(t)~ t-(1-alpha) сalpha=0.5-0.9, связанную с процессами захвата и освобождения носителей из ловушек. Подтверждено высказанное ранее предположение об образовании "дефектного" слоя в результате напыления Pd на кристаллы GaP.
  • Г.Г. Ковалевская, М.М. Мамедов, А.В. Пенцов, Е.В. Руссу, С.В. Слободчиков, В.М. Фетисова. ЖТФ, 61, 173 (1991)
  • С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Б.Е. Саморуков, Е.В. Руссу, Г.Г. Ковалевская. ФТП, 28, 237 (1994)
  • Э.И. Адирович, Л.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. \it Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., 1978) c. 70
  • B.L. Smith, M. Abbot. Sol St. Electron., 15, 361 (1972)
  • H, Scher, E.W. Montroll. Phys. Rv. B, 12, 2455 (1975)
  • J. Wang. J. Appl. Phys., 75, 332 (1975)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.