Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Нейтронно-облученные SiC(6 H) p- n-структуры: токопрохождение

Евстропов В.В.¹, Стрельчук А.М.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 2 августа 1994 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние нейтронного облучения на прямой и обратный токи эпитаксиальных p-n-структур на SiC(6H). В диапазоне плотностей прямого тока 10^-6<j<10⁰ А/см², а также при обратных допробойных напряжениях наблюдался рост тока после облучения. В облученных p-n-структурах прямой ток экспоненциально зависит от напряжения в диапазоне температур 77/700 K и плотностей тока 10^-6/10⁰ А/см²; такой ток интерпретирован согласно модели термотуннельного тока. Обратный ток, как и прямой, имеет признаки туннелирования. Признаки туннелирования у прямых токов в структурах, облученных нейтронами с энергией порядка 1 МэВ (доза 5·10¹⁴ см^-2), проявляются вплоть до температур 600/700 K.

Ф.П. Коршунов, Г.В. Гатальский, Г.М. Иванов. \it Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах (Минск, Наука и техника, 1978)
L.W. Aukerman, H.C. Gorton, R.K. Willardson, V.E. Bryson major. \it Proc. Conf. on Silicon Carbide, ed. by J.R.O'Connor, J.Smiltens (Pergamon Press, 1960, p. 388)
Ю.Н. Николаев. Электрон. техн., сер. 2, вып. 3, 54 (1966)
И.В. Рыжиков, И.Л. Касаткин, Е.Ф. Уваров. Электрон. техн., сер. 2, вып. 4, 9 (1981)
В.А. Дмитриев, П.А. Иванов, И.В. Коркин, Я.В. Морозенко, И.В. Попов, Т.А. Сидорова, А.М. Стрельчук, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 11, 238 (1985)
И.В. Попов, А.Л. Сыркин, В.Е. Челноков. Письма ЖТФ, 12, 240 (1986)
М.М. Аникин, В.В. Евстропов, И.В. Попов, А.М. Стрельчук, А.Л. Сыркин. ФТП, 23, 1813 (1989)
C.-T. Sah, R.N. Noyce, W. Shockley. Proc. IRE, 45, 1228 (1957)
В.В. Евстропов, К.В. Киселев, И.Л. Петрович, Б.В. Царенков. ФТП, 18, 1852 (1984)
С. Зи. \it Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984)
И.В. Рыжиков. Электрон. техн., сер. 2, вып. 3, 3 (1970)
А.Я. Шик. ФТП, 17, 1295 (1983)
L. Patrick. J. Appl. Phys., 28, 765 (1957)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель