"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Люминесценция нелегированных и легированных хлором слоев Zn 1- xCd xSe и Zn 1- xMg xS y Se 1- y, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Иванов С.В.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Торопов А.А.1, Шубина Т.В.1, Сорокин С.В.1, Парк, Х.С.1, Ким, Д.Р.1, О, Э.С.1, Джонг, Х.Д.1, Парк, С.Х.1, Копьев П.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 2 марта 1995 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

Исследованы температурные зависимости краевой фотолюминесценции нелегированных и легированных хлором (Cl) слоев Zn1-xMgxSySe1-y (0<x<0.05, 0<y<0.25) и Zn1-xCdxSe (0<x<0.2), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs (100). Показано, что флуктуации состава твердого раствора, наиболее выраженные для слоев ZnSySe1-y(Zn1-xCdxSe) с большим содержанием S (Cd), приводит к существенному уширению линии экситонной люминесценции. При гелиевых температурах локализация экситонов на флуктуациях состава приводит к возрастанию интегральной интенсивности фотолюминесценции твердых растворов по сравнению с чистыми слоями ZnSe при малых плотностях возбуждения. При 77 K происходит делокализация экситонов и носителей существенно уменьшается интегральная интенсивность краевой фотолюминесценции. Умеренное легирование хлором (1017/1018 см-3) вызывает гигантское увеличение интенсивности краевой фотолюминесценции в слоях ZnSe и ZnSySe1-y. Реализованы инжекционные лазеры с квантовыми ямами в системе ZnSe--ZnCdSe, работающие при 77 K в импульсном режиме (пороговая плотность тока 600 А/см2) и лазеры, работающие при комнатной температуре в импульсном режиме на структурах с эмиттерами ZnSSe, согласованными по параметру решетки с подложкой GaAs.
  • A. Haase, J. Qiu, J.M. DePuydt, H. Cheng. Appl. Phys. Lett., 59, 1272 (1991)
  • H. Jeon, J. Ding, W. Patterson, A.V. Nurmikko, W. Xie, D.C. Grillo, M. Kobayashi, R.L. Gunshor. Appl. Phys. Lett., 59, 3619 (1991)
  • A. Ishibashi, Y. Mori. J. Cryst. Growth, 138, 677 (1994)
  • S. Itoh, A. Ishibashi. \it Workbook Int. Conf. on Molecular Beam Epitaxy (MBE-VIII) (Osaka, Japan, 1994), p. 202
  • J. Petruzzello, R. Drenten, J.M. Gaines. J. Cryst. Growth, 138, 686 (1994)
  • Н.Н. Леденцов, С.В. Иванов, В.М. Максимов, И.В. Седова, И.Г. Татабадзе, П.С. Копьев. ФТП, 29, 65 (1995)
  • P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov, A.Yu. Yegorov, D.Yu. Uglov. J. Cryst. Growth, 96, 533 (1989)
  • K. Shahzad, D.J. Olego, D.A. Cammack. J. Cryst. Growth, 101, 763 (1990)
  • Y.D. Kim, S.L. Cooper, M.V. Klein. Appl. Phys. Lett., 62, 2387 (1993)
  • Z. Zhu, H. Mori, T. Yao. Appl. Phys. Lett., 61, 2811 (1992)
  • Zh.I. Alferov, P.S. Kop'ev, A.V. Lebedev, N.N. Ledentsov, S.V. Ivanov, I.V. Sedova, T.V. Shubina, A.A. Toropov. \it Abstract 7th Int. Conference on Superlattice, Microstructures and Microdevices (Banff, Canada, 1994)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.