Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Концентрация двумерного электронного газа в селективно легированных гетероструктурах при равновесном и неравновесном заполнении примесных центров

Дмитриев С.Г.¹, Шагимуратов О.Г.¹

¹Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия

Поступила в редакцию: 30 января 1995 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Проведен расчет концентрации двумерного электронного газа n_s в селективно легированных гетероструктурах в рамках модели U^--центра для атомов легирующей примеси. Рассмотрены случаи равновесного заполнения уровней примеси и неравновесного - в условиях полной ионизации примесных центров и при опустошенных глубоких уровнях. Показано, что возбуждение глубоких центров может приводить к заметному, до величин ~ 30%, увеличению n_s.

P.M. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
В.И. Борисов, С.Г. Дмитриев, В.Е. Любченко, Б.К. Медведев, В.Г. Мокеров, К.И. Спиридонов. ФТП, 28, 1199 (1994)
P.M. Mooney. Semicond. Sci. Techn., 6, B1 (1991)
D.J. Chadi, K.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10063 (1989)
С.Г. Дмитриев, Б.К. Медведев, В.Г. Мокеров, О.Г. Шагимуратов. ФТП, 29, 1906 (1995)
Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. \it Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
Т. Андо, А. Фаулер, Ф. Стерн. \it Электронные свойства двумерных систем (М., Мир, 1985)
D. Delagebefndeuf, N.T. Ling. IEEE Trans. Electron Dev. ED-29, 955 (1982)
S.R. Smith, F. Szmulovich, G.J. Brown. J. Appl. Phys., 75, 1010 (1994)
S. Adachi. J. Appl. Phys., 58, R1 (1985)
Ж.И. Алферов, С.В. Иванов, П.С. Копьев, Б.Я. Мельцер, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, В.М. Устинов, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 19, 1199 (1985)
Э.Х. Родерик. \it Контакты металл--полупроводник (М., Радио и связь, 1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель