Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Энергетическая релаксация горячих носителей в полупроводниковой короткопериодной сверхрешетке

Грешневикова О.Э.¹, Иванов С.В.¹, Копьев П.С.¹, Некрасов В.Ю.¹, Трухин В.Н.¹, Ярошецкий И.Д.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 19 декабря 1994 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследована энергетическая релаксация неравновесных носителей заряда в короткопериодной полупроводниковой сверхрешетке. Путем обработки спектров поглощения исследуемых структур получена зависимость температуры электронно-дырочной плазмы от времени. Полученные результаты сопоставлены с данными по энергетической релаксации для структур с квантовыми ямами и объемного GaAs.

С.В. Иванов, П.С. Копьев, В.Ю. Некрасов, А.Г. Пахомов, В.Н. Трухин, И.Д. Ярошецкий. ФТП, 23, 1564 (1989)
С.В. Иванов, П.С. Копьев, В.Ю. Некрасов, А.Г. Пахомов, В.Н. Трухин, И.Д. Ярошецкий. В сб.: \it Тез. докл. XII Всес. конф. по физике полупроводников (Киев, 1990) ч. 2. С. 10
H. Polland, W. Ruhle, J. Kuhl, K. Ploog. Phys. Rev. B, 35, 8273 (1987)
St.M. Goodnick, P. Lugli. Phys. Rev. B, 38, 10135 (1988)
J. Ryan, R.A. Taylor, A.J. Turberfield, J.M. Werlock. Surf. Sci., 170, 511 (1986)
R.W.J. Hollering, T.T.J.M. Berendschot, H.J.A. Bluyssen, P. Wyder, M.R. Leys, J. Wolter. Sol. St. Commun., 57, 527 (1986)
C.V. Shank, R.L. Forle, R. Yen, J. Shan. Sol. St. Commun., 47, 981 (1983)
\it Semicond. Probe by Ultrafast Laser Spectr., ed. by Alfano (Acad. Press, 45, Inc., 1984)
R.F. Leheny, Jagodeep Shah, R.L. Fork, C.V. Shank, A. Migus. Sol. St. Commun., 31, 809 (1979)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель