Фотостимулированное усиление фононов, локализованных в двумерном электронном газе
Эпштейн Э.М.1
1Научно-исследовательский институт ''Платан'',, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 20 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.
Рассматриваются фононы, локализованные в двумерном электронном газе, в присутствии сильной электромагнитной волны, электрическое поле которой лежит в плоскости двумерного электронного газа. В предположении, что электромагнитная волна воздействует на фононную подсистему только через посредство двумерного электронного газа, получено дисперсионное уравнение для фононов. В условиях, когда энергия кванта электромагнитной волны велика по сравнению с энергией электронов, появляются новые (запрещенные законами сохранения в отсутствие волны) области электрон-фононного взаимодействия, в том числе области отрицательного затухания (фотостимулированного усиления) фононов.
- L.J. Challis, A.J. Kent, V.W. Rampton. Semicond. Sci. Technol., 5, 1179 (1990)
- V.A. Kochelap, O. Gulseren. Письма ЖЭТФ, 56, 93 (1992)
- V.A. Kochelap, O. Gulseren. J. Phys.: Condens. Matter., 5, 589 (1993)
- Э.М. Эпштейн, Г.М. Шмелев, Г.И. Цуркан. \it Фотостимулированные процессы в полупроводниках (Кишинев, 1987)
- Э.М. Эпштейн. Письма ЖЭТФ, 13, 511 (1971)
- Д. Пайнс. Проблема многих тел (М., 1963)
- F. Stern. Phys. Rev. Lett., 18, 546 (1967)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук