Изучались температурные зависимости квантовой эффективности фотоэлектропреобразования GaP поверхностно-барьерных структур в области прямых оптических переходов (hnu>2.8 эВ), когда эффективная длина поглощения света существенно меньше длины фотоэлектроактивной области; интервал температур 120-360 K. Показано экспериментально, что коротковолновая квантовая эффективность структур с ростом температуры возрастает. Сделано заключение, что это возрастание вызвано температурным ростом внутреннего квантового выхода фотоэффекта в GaP, а не температурным изменением потерь неравновесных носителей заряда. Экспериментальные результаты объяснены экситонной моделью фотоэффекта, согласно которой коротковолновый свет генерирует не только свободные носители заряда, но и экситоны. Термодиссоциация экситонов вызывает увеличение концентрации неравновесных носителей заряда, что приводит к температурному росту внутреннего квантового выхода фотоэффекта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.