Исследованы фоточувствительные поликристаллические пленки PbTe, легированные Cl и избытком Te. Пленки были получены вакуумным напылением в модифицированном квазизамкнутом объеме из компенсированной шихты. Состав исходного материала выбран в диапазоне, где концентрация носителей тока лишь незначительно зависит от изменения содержания легирующей примеси и избыточного теллура. В результате получены однородные поликристаллические пленки с концентрацией носителей тока около 3· 10¹⁷ см^-3, темновым сопротивлением около 10⁶ Ом/#, фоточувствительные в диапазоне 1-6 мкм без высокотемпературного отжига на воздухе. Оптимальная температура отжига не превышает 250-270 ^oC. При этой температуре отжига барьеры для тока возрастают до максимальной величины =~ 50 мэВ. Такие пленки могут использоваться в качестве чувствительного элемента твердотельных матричных приемников инфракрасного излучения. Получены фоторезистивные матричные инфракрасные приемники на подложке Si-SiO₂ с числом элементов 32x32 и размером элемента 50x50 мкм².

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.