Изучено влияние отклонения от стехиометрии на электрофизические свойства поликристаллических образцов Bi₂Te₃, легированного одновременно 5 ат% In и 1 ат% Pb. Полученные образцы обладали дырочным типом проводимости. Обнаружено изменение характера зависимости концентрации дырок от избытков Te и Bi по сравнению с нелегированным Bi₂Te₃. Предложена интерпретация этих данных, основанная на предположении, что количество антиструктурных дефектов (атомов Bi в подрешетке Te) уменьшается в присутствии электроактивной примеси In. На концентрационной зависимости коэффициента термоэдс S при температурах T~= 120 K обнаружен глубокий минимум вблизи p~ 1· 10¹⁹ см^-3, связанный, по-видимому, с межзонным рассеянием при участии примесных атомов In.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.