Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Индуцированное ультразвуком преобразование DX-центров в AlGaAs:Si

Беляев А.Е.¹, фон Барделебен Х.Ю.¹, Оборина Е.И.¹, Рябченко Ю.С.¹, Савчук А.У.¹, Фийе М.Л.¹, Шейнкман М.К.¹

¹Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 16 декабря 1993 г.

Выставление онлайн: 20 августа 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На примере DX-центра продемонстрирована эффективность применения ультразвука для исследования структуры глубоких центров. В частности, показано, что при фотоионизации основного состояния DX-центра, проводимой совместно с динамической деформацией образца, проявляются оба нейтральных состояния, d⁰ (атом в узле замещения) и DX⁰ (атом смещен из узельной позиции). Более того, при определенной амплитуде деформации возможен внутрицентровый переход (d⁰-> DX⁰) с последующим захватом электрона (DX⁰+e-> DX^-), что приводит к уменьшению скорости нарастания фотопроводимости.

D.J. Chadi, R.J. Chang. Phys. Rev. B, 39, 10063 (1989)
P.M. Mooney. Appl. Phys. Rev.: J. Appl. Phys., \bf 67, R1 (1990)
J.C. Henning, J.P. Ansems. Semicond. Sci. Techn., \bf 2, 1 (1987)
E. Yamaguchi, K. Shiraishi, T. Ohno. \it Proc. 20th ICPS, ed. by E.M. Anastassakis, J.D. Joannopoulos (Singapore, World Scientific, 1990) p. 501
G.A. Northrop, P.M. Mooney. J. Electron. Mater., \bf 20, 13 (1991)
В.Е. Лашкарев, А.В. Любченко, М.К. Шейнкман. \it Неравновесные процессы в полупроводниках (Киев, Наук. думка, 1981)
В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. \it Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
L. Dobaczewski, P. Kaczor. Phys. Rev. Lett., 66, 68 (1991)
M. Lannoo. Semicond. Sci. Techn., 6, 16 (1991)
H.J. von Bardeleben, J.C. Bourgoin, C. Delerue, M. Lannoo. Phys. Rev. B., \bf 44, 9060 (1991)
G.S. Gargill III, A. Segmuller, T.F. Kuech, T.N. Thies. Phys. Rev. B., \bf 46, 10178 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель