Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Модель для описания взаимодействия электронных волн с гетерограницами в GaAs/AlAs (001)

Гриняев С.Н.¹, Караваев Г.Ф.¹, Чернышов В.Н.¹

¹Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Siberian Institute of Physics and Technology acad. V.D. Kuznetsov, Tomsk State University, Tomsk, Russia

Поступила в редакцию: 16 декабря 1993 г.

Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

На основе результатов многозонного расчета матриц сшивания J_ij(i,j - номера долин) на гетерогранице GaAs/AlAs (001) и коэффициентов прохождения через двухбарьерную структуру GaAs/AlAs(4a)/GaAs(8a)/AlAs(4a)/GaAs (a - постоянная решетки) методом псевдопотенциала разработана трехдолинная модель гетероструктуры GaAs/AlAs, пригодная для адекватного описания электронных процессов вблизи гетерограницы. В этой модели в матрице J_ij учитываются наиболее существенные элементы, отвечающие взаимодействию состояний, происходящих из долин Gamma₁, X₁ и X₃ нижней зоны проводимости. Волновые функции электронов в слоях GaAs и AlAs аппроксимированы в ограниченном базисе из состояний, отвечающих экстремумам зоны проводимости и валентной зоны. Получены параметрические выражения для матричных элементов J_ij, сохраняющие все особенности их энергетической зависимости, присущие точным выражениям.

М. Херман. Полупроводниковые сверхрешетки (М., Мир, 1989)
H.C. Liu. Superlatt. Microstruct., 7, 35 (1990)
D.Y.K. Ko, J.C. Inkson. Phys. Rev. B, 38, 9945 (1988)
D.Y.K. Ko, J.C. Inkson. Semicond. Sci. Techn., \bf 3, 791 (1988)
K.V. Rousseean, K.L. Wang, J.N. Schulman. Appl. Phys. Lett., \bf 54, 1391 (1989)
T. Ando, S. Wakahara, H. Akera. Phys. Rev. B, \bf 40, 11609 (1989)
T. Ando, H. Akera. Phys. Rev. B, 40, 11618 (1989)
J.P. Cuypers, W.J. van Haeringen. J. Phys.: Condens. Matter., \bf 4, 2587 (1992)
Г.Ф. Караваев, С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. Изв. вузов. Физика, \bf 35, вып. 9, 64 (1992)
С.Н. Гриняев, В.Н. Чернышов. ФТП, 26, 2057 (1992)
G. Danan, B. Etienne, F. Mollot, R. Planel, A.M. Jean-Louis, F. Alexandre, B. Jusserand, G. Le Roux, J.Y. Marzin, H. Savari, B. Sermage. Phys. Rev. B, \bf 35, 6207 (1987)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель