Исследованы фотоэлектрические свойства гомопереходов n-p-CdSiAs₂ в естественном и линейно поляризованном излучении. В спектральных зависимостях квантовой эффективности на длинноволновом крае при возбуждении неполяризованным светом при 300 K обнаружена тонкая структура в виде одного или двух пиков, которая становится еще более яркой при 77 K. Показано, что каждый из пиков квантовой эффективности доминирует в определенной поляризации. Энергия расщепления составляет ~10 мэВ. Смещение в коротковолновую область с понижением температуры соответствует температурному коэффициенту ширины запрещенной зоны CdSiAs₂. Сделано предположение об экситонной природе длинноволнового края фоточувствительности и установлено, что при этом в спектральных зависимостях естественного фотоплеохроизма возникают осцилляции вплоть до инверсии знака.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.