Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследования дрейфовой подвижности электронов в a-Si:H, легированном фосфором

Казанский А.Г.¹, Яркин Д.Г.¹

¹Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия Lomonosov Moscow State University, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 7 октября 1993 г.

Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследовано влияние легирования и длительного освещения на дрейфовую подвижность электронов mu_d в a-Si:H в области температур (100-400) K. Полученные зависимости mu_d(T) имеют активационный характер при низких температурах и насыщаются при температурах, близких к комнатной. Величина mu_d в области комнатных температур немонотонно изменяется с легированием, возрастая при малых и уменьшаясь при больших уровнях легирования. Активационный характер зависимостей mu_d(T) в области низких температур объясняется в рамках модели эффективного уровня прилипания. Предполагается, что насыщение зависимостей mu_d(T) вызвано возрастанием влияния глубоких уровней прилипания с ростом температуры.

J.M. Marshall, P.G. KeComber, W.E. Spear. Sol. St. Commun., \bf 54, 11 (1985)
T. Tiedje, A. Rose. Sol. St. Commun., 37, 49 (1980)
J. Bullot, P. Cordier, M. Gauthier, G. Mawawa. Phil. Mag. B, \bf 55, 599 (1987)
K. Winer, I. Hirabayashi, L. Ley. Phys. Rev. Lett., \bf 60, 2697 (1988)
K. Chen, H. Fritzche. J. Non-Cryst. Sol., \bf 59--60, 441 (1983)
J. Takada, H. Fritzche. Phys. Rev. B, 36, 1710 (1987)
H. Fritzche, M.Q. Tran, B.-G. Yoon, D.-Z. Chi. J. Non-Cryst. Sol., \bf 137--138, 639 (1991)
R.A. Street, J. Kakalios, M. Chack. Phys. Rev. B, \bf 38, 5603 (1988)
M. Hoheisel, W. Fuhs. Phil. Mag. B, 57, 411 (1988)
H. Overhof, M. Silver. Phys. Rev. B, 39, 10426 (1989)
C. Kawamura, I. Shimizu, J. Hanna. J. Non-Cryst. Sol., \bf 137--138, 697 (1991)
M. Stutzmann, W.B. Jackson, C.C. Tsai. Appl. Phys. Lett., \bf 45, 1075 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель