"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электронный спектр двух- и трехмерных квантовых ям на основе узкощелевых полупроводников
Идлис Б.Г.1, Усманов М.Ш.1
1Физический институт им. П.Н.Лебедева Российской академии наук,, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 8 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

На примере двух- и трехмерных квантовых ям, образованных узкощелевыми полупроводниками с взаимно инвертированными зонами, изучены спектры приграничных состояний. Показано, что от верхней и нижней зон объемного спектра отщепляется серия дискретных уровней, отличающихся значениями полного углового момента.
  • O.A. Pankratov, S.V. Pakhomov, B.A. Volkov. Sol. St. Commun., \bf 61, 93 (1987)
  • Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. Препринт N 1, ФИ РАН (1993)
  • В.А. Волков, Т.Н. Пинскер. ФТТ, 23, 1756 (1981)
  • Б.Г. Идлис, М.Ш. Усманов. ФТП, 26, 329 (1992)
  • А.В. Колесников, А.П. Силин. Препринт N 21, ФИ РАН (1993)
  • Ал.Л. Эфрос, А.Л. Эфрос. ФТП, 16, 1209 (1982)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.