"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Эффекты релаксации области пространственного заряда полупроводника при термостимулированной деполяризации МДП структур
Ждан А.Г.1, Маркин Ю.В.1
1Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 29 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1994 г.

Рассмотрено влияние взаимодействия подсистемы релаксаторов диэлектрика с электронной подсистемой полупроводника на характер процессов термостимулированной деполяризации (ТСД) МДП структур. Построена теория процесса ТСД с учетом изменения падения напряжения на диэлектрике, обусловленного релаксацией области пространственного заряда (ОПЗ) полупроводника. Показано, что релаксация ОПЗ радикально модифицирует форму и количественные параметры пиков тока ТСД: пики тока расщепляются или уширяются, а их площадь заметно уменьшается. Стандартная процедура обработки таких пиков дает нереальные значения параметров, характеризующих процесс ТСД. Развит новый подход к исследованиям ТСД МДП структуры, основанный на синхронных измерениях температурных зависимостей тока деполяризации J(T) и высокочастотной емкости CHF(T). По этой методике выполнены эксперименты на МОП структурах с термическим окислом толщиной 2·10-5 см и площадью 10-2 см2, изготовленных на основе Si, легированного P, с удельным сопротивлением порядка 4.5 Ом·см и ориентацией (100). Термополевым стрессом при 473 K и напряжении Vg=10 B индуцировалось смещение подвижных положительных ионов в SiO2 к границе его раздела с Si. После охлаждения структуры до 200 K и инвертирования знака Vg осуществлялся обычный алгоритм измерения ТСД с одновременной регистрацией зависимостей J(T) и CHF(T). Данные экспериментов хорошо описываются теорией, построенной для простейшего случая чисто термоэмиссионного переноса ионов в SiO2 в условиях, когда индуцируемое смещением ионов изменение поверхностного потенциала Si не приводит к нарушению термодинамического равновесия в ОПЗ полупроводника.
  • Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский. Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков. М. (1991)
  • А.П. Стецовский, Ю.В. Зеленев. Релаксационная спектроскопия полимерных материалов. М. (1991)
  • В.Н. Вертопрахов, Е.Г. Сальман. Термостимулированные токи в неорганических веществах. Новосибирск (1979)
  • E.H. Nicollian, J.R. Brews. MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) physics and technology. N.Y. (1982)
  • И.Е. Тамм. Основы теории электричества. М. (1989)
  • T.W. Hickmott. J. Appl. Phys., 46, 2583 (1975)
  • А.Г. Ждан, В.Б. Сандомирский, А.Д. Ожередов. ФТП, \bf 2, 11 (1968)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Клочкова, Ю.В. Маркин. ФТП, \bf 24, 159 (1990)
  • Е.И. Гольдман, А.Г. Ждан, А.М. Сумарока. ФТП, 26, 2048 (1992)
  • В.И. Антоненко, А.Г. Ждан, А.И. Минченко, П.С. Сульженко. ФТП, \bf 20, 208 (1986)
  • M.L. Reed. Semicond. Sci. Techn., 4, 980 (1989)
  • A. Harstein, A.B. Fowler. Surf. Sci., 73, 19 (1978)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.