"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние сильного СВЧ поля на вольт-амперную характеристику p-n-перехода с горячими носителями заряда
Гулямов Г.1, Умаров К.Б.1
1Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
Поступила в редакцию: 4 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Теоретически исследован процесс прохождения тока через p-n-переход с учетом рекомбинации носителей в области объемного заряда в сильном СВЧ поле. Получено выражение для вольт-амперной характеристики с учетом рекомбинации электронов и дырок на примесных центрах в области объемного заряда. Определена область напряжений, где рекомбинационный ток больше диффузионного тока горячих носителей. Установлено, что в сильном СВЧ поле рекомбинационный ток может преобладать над диффузионным даже при отрицательных напряжениях.
  1. А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, Г. Дадамирзаев. ФТП, \bf 9, 216 (1975)
  2. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, \bf 22, 2001 (1988)
  3. Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП. \bf 26, 1041 (1992)
  4. Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов. М. (1965)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.