"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Новый бистабильный дефект с глубокими уровнями в AlxGa 1-xAs, легированном Si
Соболев М.М.1, Кочнев И.В.1, Папенцев М.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 октября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Сообщается, что в эпитаксиальном n-слое Al0.3Ga0.7As, выращенном МОС-гидридным методом, обнаружен новый бистабильный дефект, несвязанный с DX-центром. Исследования производили C-V и DLTS-методами на AU-барьере Шоттки, с предварительным изохронным и изотермическим отжигом при двух условиях охлаждения - с приложенным напряжением обратного смещения U0=0 и с U0< 0. Стабильное состояние бистабильного дефекта с энергией термической активации E1=Ec-165 мэВ и сечением захвата электронов sigman=1.07· 10-13 см-2 наблюдается при условии изохронного отжига U0=0. Этот уровень близок по параметрам к E1 уровню, который образуется при радиационном облучении Al0.3Ga0.7As и связывается с дефектом V As. При изохронном отжиге с U0< 0 наблюдается метастабильный уровень бистабильного дефекта с E2=Ec-208 мэВ и sigman=2.54· 10-14 см2. Исследования показывают, что кинетика трансформации дефекта E1-> E2, 1-го порядка и обусловлена двумя ловушками E2 и E2* с различными темпами отжига. Сделано предположение, что этот дефект представляет собой комплекс, состоящий из вакансии мышьяка и примеси.
  1. M. Levinson, J.L. Benton, L. Kimerling. Phys. Rev. B, \bf 27, 6216 (1983)
  2. P. Mooney. J. Appl. Phys., 67, R1 (1990)
  3. T.N. Theis, P.M. Mooney, B.D. Parker. Electron J. Mater. \bf 20, 35, (1991)
  4. Y.B. Jia, M.F. Li, J. Zhou, J.L. Gao, M.Y. Kong, P.Y. Yu, K.T. Chan. J. Appl. Phys., \bf 66, 5632, (1989)
  5. P. Seguy, P.Y. Yu, M. Li, R. Leon, K.T. Chan. Appl. Phys. Lett., \bf 57, 2469, (1990)
  6. J. Kang, Q. Huang. J. Appl. Phys., 72, 1395, (1992)
  7. П.Н. Брунков, В.П. Евтихеев, С.Г. Конников, Е.Ю. Котельников, М.И. Папенцев, М.М. Соболев. ФТП, \bf 24, 1978, (1990)
  8. D.V. Lang, R.A. Longan, L.C. Kimerling. Phys. Rev. B, \bf 15, 4874, (1977)
  9. P.K. Bhattacharya, S. Dhar. Semicond. Semimet., 26, 143 (1988)
  10. A. Broniatowski, A. Blosse, P.C. Srivastava, J.C. Bourgoin. J. Appl. Phys., \bf 54, 2907 (1983)
  11. М.М. Соболев, А.В. Гитцович, М.И. Папенцев, И.В. Кочнев, Б.С. Явич. ФТП, \bf 26, 1760 (1992)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.