"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Температурная зависимость туннельного тока через МТДП структуру
Добровольский В.Н.1, Нинидзе Г.К.1, Петрусенко В.Н.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 16 июня 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

В кремниевых МТДП структурах наблюдалась значительная температурная зависимость туннельного тока электронов из металла в полупроводник - в диапазоне 50/295 K ток увеличивался в три раза. Увеличение тока объяснено заселением с ростом температуры электронами металла более высоких энергетических уровней с большими значениями коэффициента туннельной прозрачности барьера между металлом и полупроводником. Развита теория, результаты которой согласуются с экспериментом.
  1. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов, т. 1. М.: Мир (1984)
  2. В.Н. Добровольский, В.Н. Ловейко, Г.К. Нинидзе, В.Н. Петрусенко. ФТП, \bf 24, 1067 (1990)
  3. К.Б. Дюк. В кн.: Туннельные явления в твердых телах, 131. М.: Мир (1973)
  4. M.A. Green, J. Shewchun. Sol. St. Electron., 17, 349 (1974)
  5. А.Я. Вуль, С.В. Козырев, В.И. Федоров. ФТП, 15, 142 (1981)
  6. V. Kumar, W.E. Dahlke. Sol. St. Electron., 20, 143 (1977)
  7. Дж. Блекмор. Статистика электронов в полупроводниках. М.: Мир (1964)
  8. В.И. Стриха. Теоретические основы работы контакта металл--полупроводник. Киев: Наук. думка (1974)
  9. А.В. Саченко, О.В. Снитко. Фотоэффекты в приповерхностных слоях полупроводников. Киев: Наук. думка (1984)
  10. J.G. Simmons. J. Appl. Phys. 35, 2255 (1964)
  11. В.С. Фоменко. Эмиссионные свойства материалов. Справочник. Киев: Наук. думка (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.