"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Тип проводимости и глубокие центры захвата в кристаллах ZnSxSe 1-x
Коваленко А.В.1, Борисенко Н.Д.1
1Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 30 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Статистический анализ кривых ТСЛ, ТСП и ТСЭ в монокристаллах ZnSxSe1-x позволил выявить 5 донорных и 5 акцепторных глубоких уровней захвата носителей заряда. Хотя для данного соединения характерен n-тип проводимости, с изменением параметра x происходит изменение набора донорных и акцепторных уровней (что в конечном итоге приводит к появлению p-типа проводимости) в диапазоне 0=< x=< 0.4. Этот факт подтверждается также изменением знаков фотоэдс и эдс Холла. Показано, что тип проводимости кристаллов ZnSe определяется отклонением от стехиометрии. Так, отжиг образцов ZnSe в расплаве Se при T=(500-900) oС в течение 5 ч стабилизирует в них p-тип проводимости, а отжиг в расплаве Zn при тех же условиях обусловливает n-тип проводимости.
  1. G.F. Neumark. J. Appl. Phys., 65, 4859 (1989)
  2. J. Nishizawa. R. Suzuki, Y. Okuno. J. Appl. Phys., \bf 59, 2256 (1986)
  3. А.Н.. Георгобиани, В.И. Стеблин. Тр. Физ. Ин-та им. Лебедева П.Н. АН СССР, \bf 50, 27 (1970)
  4. А.Н. Геогобиани, М.Б. Котляревский. В кн.: Проблемы физики соединений AIIBVI, \bf 1, 321. Вильнюс (1972)
  5. Н.Д. Борисенко, Ф.Ф. Коджеспиров, С.Н. Писанко, Е.И. Ярошенко. ФТП, \bf 7, 397 (1973)
  6. Н.Д. Борисенко, А.В. Коваленко, А.С. Кушнир, А.Я. Якунин. ФТП, \bf 15, 194 (1981)
  7. M. Umar-Syed, P. Lilley. J. Cryst. Growth, 88 (1988)
  8. J. Gutowski, N. Presser, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), \bf 120, 11 (1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.