Тип проводимости и глубокие центры захвата в кристаллах ZnSxSe 1-x
Коваленко А.В.1, Борисенко Н.Д.1
1Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
Поступила в редакцию: 30 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.
Статистический анализ кривых ТСЛ, ТСП и ТСЭ в монокристаллах ZnSxSe1-x позволил выявить 5 донорных и 5 акцепторных глубоких уровней захвата носителей заряда. Хотя для данного соединения характерен n-тип проводимости, с изменением параметра x происходит изменение набора донорных и акцепторных уровней (что в конечном итоге приводит к появлению p-типа проводимости) в диапазоне 0=< x=< 0.4. Этот факт подтверждается также изменением знаков фотоэдс и эдс Холла. Показано, что тип проводимости кристаллов ZnSe определяется отклонением от стехиометрии. Так, отжиг образцов ZnSe в расплаве Se при T=(500-900) oС в течение 5 ч стабилизирует в них p-тип проводимости, а отжиг в расплаве Zn при тех же условиях обусловливает n-тип проводимости.
- G.F. Neumark. J. Appl. Phys., 65, 4859 (1989)
- J. Nishizawa. R. Suzuki, Y. Okuno. J. Appl. Phys., \bf 59, 2256 (1986)
- А.Н.. Георгобиани, В.И. Стеблин. Тр. Физ. Ин-та им. Лебедева П.Н. АН СССР, \bf 50, 27 (1970)
- А.Н. Геогобиани, М.Б. Котляревский. В кн.: Проблемы физики соединений AIIBVI, \bf 1, 321. Вильнюс (1972)
- Н.Д. Борисенко, Ф.Ф. Коджеспиров, С.Н. Писанко, Е.И. Ярошенко. ФТП, \bf 7, 397 (1973)
- Н.Д. Борисенко, А.В. Коваленко, А.С. Кушнир, А.Я. Якунин. ФТП, \bf 15, 194 (1981)
- M. Umar-Syed, P. Lilley. J. Cryst. Growth, 88 (1988)
- J. Gutowski, N. Presser, G. Kudlek. Phys. St. Sol. (a), \bf 120, 11 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук