"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Выращивание квантово-размерных гетероструктур (In, Ga) As/GaAs методом осаждения <<субмонослойных>> напряженных слоев InAs
Егоров А.Ю.1, Жуков А.Е.1, Копьев П.С.1, Леденцов Н.Н.1, Максимов М.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Предложен и реализован новый метод эпитаксиального выращивания гетероструктур на основе напряженных слоев (In, Ga) As, основанный на замене твердого раствора InGaAs ''субмонослойной'' сверхрешеткой InAs/GaAs, позволяющий значительно повысить интенсивность фотолюминесценции из квантовой ямы, а также реализовать сверхтонкие квантво-размерные слои с высокой однородностью по среднему составу и эффективной толщине. Проведено сравнение люминесцентных свойств структур с различными типами активного слоя, содержащего In.
  1. S.E. Fischer, D. Fekete, G.B. Feak, J.M. Ballantyne. Appl. Phys. Lett., \bf 50, 714 (1987)
  2. J.W. Matthews, A.E. Blackeslee, J. Cryst. Growth, \bf 27, 118 (1974)
  3. P.L. Gourley, I.J. Fritz, L.R. Dawson. Appl. Phys. Lett., \bf 52, 377 (1988)
  4. D.P. Bour, R.U. Martinelli, D.B. Gilbert, L. Elbaum, M.G. Harvey. Appl. Phys. Lett. \bf 55, 1501 (1989)
  5. P. Maurel, J. Nagle, J.P. Hirtz. Japan. J. Appl. Phys., \bf 32, P. 1, 1056 (1993)
  6. T. Susuki, T. Nishinaga. VI Int. Conf. on MBE (San Diego, CA, USA), PI-10 (1990)
  7. Б.А. Джойс. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры, 37, М.: Мир (1989)
  8. B. Elman, E.S. Koteles, P Melman, C. Jagannath, J. Lee, D. Dugger. Appl. Phys. Lett., \bf 55, 1969 (1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.