"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подавление электрон-фононного взаимодействия в квантующем магнитном поле
Кибис О.В.1,2, Энтин М.В.1,2
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 13 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Взаимодействие электронов с акустическими фононами в полупроводниках определяется константами деформационного потенциала, которые, вообще говоря, имеют различную величину и различные знаки для электронных состояний разных зон. В связи с этим при смешивании состояний разных зон внешними полями эффективные константы деформационного потенциала, являющиеся комбинациями констант невозмущенных зон, могут оказаться равными нулю для некоторых электронных состояний. Обращения в нуль эффективных констант деформационного потенциала для данного состояния можно добиться с помощью набора непрерывных управляемых параметров энергетического спектра (состав материала, статическая деформация, магнитное поле и т.п.), число которых не меньше числа обращаемых в нуль констант. В настоящей работе исследовано перемешивание состояний зон Gamma6 и Gamma8 в прямозонном кубическом полупроводнике с помощью квантующего магнитного поля и статической деформации кристалла. При заданном магнитном поле получены выражения для тензора статической деформации, соответствующей подавлению электрон-фононного взаимодействия в ультраквантовом пределе, когда электронный газ заполняет состояния лишь вблизи дна нижней подзоны Ландау зоны проводимости.
  1. O.V. Kibis, M.V. Entin. II Int. Symp. on surface waves in solids and layered structures. Proceedings extended abstracts, \bf 1, 92 Varna (1989)
  2. О.В. Кибис, М.В. Энтин. Тез. докл. XIV Всес. конференция по акустоэлектронике и физической акустике твердого тела, ч. 2,88. Кишинев (1989)
  3. Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. М.: Наука (1972)
  4. И.М. Цидильковский. Зонная структура полупроводников. М.: Наука (1978)
  5. J.M. Luttinger, W. Kohn. Phys. Rev., 97, 869 (1955)
  6. У. Харрисон. Электронная структура и свойства твердых тел. Т. 2. М.: Мир (1983)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.