"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Приготовление пленок CdxHg 1-xTe методом парофазной эпитаксии HgTe на подложках CdTe с последующей взаимной диффузией
Варавин В.С.1, Сидоров Ю.Г.1, Ремесник В.Г.1, Чикичев С.И.1, Нис И.Е.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 26 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1994 г.

Выращены зеркально-гладкие пленки HgTe на подложках CdTe различных ориентаций с помощью методики осаждения HgTe из паровой фазы в градиенте температур. Скорости выращивания 5/12 мкм/ч. Последующий отжиг структур позволяет получить слои Hg1-xCdxTe толщиной около 15 мкм с x CdTe=0.2/0.3 на поверхности и градиентом ширины запрещенной зоны 0.0025 эВ/мкм по глубине. После отжига концентрация носителей в образцах n-типа составляет (1/20)· 1015 см-3 при подвижности (2/5)· 104 см2/В· с, в образцах p-типа - концентрация (1/5)· 1016 см-3 и подвижность 200/350 см2/В· с (77 K). На пленках n-типа с помощью диффузии мышьяка получены фотодиоды с R0A=22 Ом· см2 и длинноволновой границей на 9.5 мкм.
  1. J. Piotrowsky, Z. Djuric, W. Galus, V. Lovic, M. Grudzien, Z. Dinovic, Z. Nowala. J. Cryst. Growth, \bf 83, 122 (1987)
  2. P. Becla, J. Lagowsky, H.C. Gatos, H. Ruda. J. Electrochem. Soc., \bf 128, 1171 (1981)
  3. Z. Djuric, J. Piotrowsky. Appl. Phys. Lett., \bf 51, 1699 (1987)
  4. B. Lee, L.K. Nagel, M.F.S. Tang, D.A. Stewenson, J.H. Tregilglas, M.W. Goodwin, R.L. Strong. J. Vac. Sci. Techn., \bf A8, 1098 (1990)
  5. В.А. Гнатюк, А.И. Власенко, Б.Л. Друзь, В.И. Лукьяненко, П.Е. Мозоль, А.В. Сукач. РАН. Неорг. матер., \bf 28, 2399 (1992)
  6. C.L. Jones, M.J.T. Quelch, P. Capper, J.J. Gosney. J. Appl. Phys., \bf 53, 9080 (1982)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.