"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Глубокие центры и сине-зеленая электролюминесценция в 4H-SiC
Аникин М.М.1, Лебедев А.А.1, Полетаев Н.К.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 сентября 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Проведено исследование DLTS-спектров и спектров электролюминесценции (ЭЛ) p-n-структур, полученных на основе 4H-SiC сублимационной эпитаксией и ионной имплантацией Al. Обнаружено, что результаты исследования качественно совпадают с результатами, полученными при исследовании 6H-SiC p-n-структур, сформированных аналогичными технологическими методами. Расчеты характеристик ЭЛ 4H-SiC-cтpyктyp, выполненные исходя из предложенных для 6H-SiC рекомбинационных моделей и параметров, обнаруженных в 4H-SiC глубоких центров, хорошо согласуются с экспериментом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.