Проведено исследование спектров электролюминесценции и DLTS-спектров p-n-структур, полученных на основе SiC методом сублимационной эпитаксии. Установлено, что в структурах присутствуют два ранее обнаруженных глубоких центра: i-центр (E_v+0.52 эВ) и D-центр (E_v+0.58 эВ). Показано, что положение максимума в спектре электролюминесценции p-n-структур и зависимость этого положения от плотности прямого тока определяется соотношением концентраций i- и D-центров в структуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.