"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
О зависимости положения максимума электролюминесценции в диодах на основе 6H-SiC от плотности прямого тока
Аникин М.М.1, Кузнецов Н.И.1, Лебедев А.А.1, Полетаев Н.К.1, Стрельчук А.М.1, Сыркин А.Л.1, Челноков В.Е.1
1Физико-технический институт им А. Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

Проведено исследование спектров электролюминесценции и DLTS-спектров p-n-структур, полученных на основе SiC методом сублимационной эпитаксии. Установлено, что в структурах присутствуют два ранее обнаруженных глубоких центра: i-центр (Ev+0.52 эВ) и D-центр (Ev+0.58 эВ). Показано, что положение максимума в спектре электролюминесценции p-n-структур и зависимость этого положения от плотности прямого тока определяется соотношением концентраций i- и D-центров в структуре.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.