"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Перераспределение бериллия в InSb и InAs при внедрении ионов и последующем отжиге
Курышев Г.Л.1, Мясников А.М.1, Ободников В.И.1, Сафронов Л.Н.1, Хрящев Г.С.1
1Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук,, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 14 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 1994 г.

В работе методом масс-спектрометрии вторичных ионов исследованы концентрационные профили бериллия, полученные внедрением в InS и InAs ионов Be+ с энергией 200 эВ и дозой 1015 см-2 с последующим отжигом. Установлено, что при отжиге образцов InSb, при температурах вплоть до 450oC перераспределения бериллия не происходит. В отличие от InSb, в InAs в результате отжигов при температурах выше 400oC профиль распределения бериллия существенно модифицируется. При этом в интервале температур 750/800oC в облученном ионами Be+ InAs в области, прилегающей к среднему проецированному пробегу Rp, за счет перестройки введенных при облучении дефектов возникает геттерирующий слой, являющийся стоком для диффундирующего бериллия.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.