"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Константы деформационного потенциала глубоких акцепторов в модели короткодействующего потенциала центра
Костин И.В.1, Осипов Е.Б.1, Осипова Н.А.1
1Череповецкий государственный педагогический институт им. А.В. Луначарского, Череповец, Россия
Поступила в редакцию: 5 апреля 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Константы деформационного потенциала, определяющие расщепление вырожденных уровней глубоких акцепторов в условиях внешней деформации, рассчитаны в приближении короткодействующего потенциала центра. Использование разложения волновой функции примесного уровня по блоховским функциям идеального кристалла позволяет выразить примесные константы деформационного потенциала через зонные и через параметры зонной структуры (эффективные массы). Выполнены оценки для полупроводников с предельно малым (Delta=0) и большим спин-орбитальным расщеплением валентной зоны. Константа изотропной деформации aT для глубоких уровней отличается от зонной. При учете вклада в волновую функцию примесного уровня состояний валентной зоны и подмешивания состояний зоны проводимости отношение aT/av<1 зависит от параметров зонной структуры и уменьшается по мере углубления уровня в запрещенную зону. Сопоставление с известными значениями констант CuGa, AgGa, AuGa в GaAs показало подтверждение этой закономерности.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.