"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs
Карпович И.А.1, Бедный Б.И.1, Байдусь Н.В.1, Батукова Л.М.1, Звонков Б.Н.1, Степихова М.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 31 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Показано, что нанесение тонкого (~150 Angstrem) покровного слоя In0.5Ga0.5P на слой GaAs пассивирует его поверхность. На слоях с такой поверхностью обнаружено значительное уменьшение плотности поверхностных состояний и изгиба зон, увеличение интенсивности краевой фотолюминесценции и фотомагнитного тока, а также подавление его полевой (аномальной) компоненты. Эффект пассивации объясняется образованием достаточно совершенной гетерограницы и ограничением рекомбинационных потоков носителей на поверхность барьером гетерослоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.