"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетероэпитаксиальная пассивация поверхности GaAs
Карпович И.А.1, Бедный Б.И.1, Байдусь Н.В.1, Батукова Л.М.1, Звонков Б.Н.1, Степихова М.В.1
1Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 31 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Показано, что нанесение тонкого (~150 Angstrem) покровного слоя In0.5Ga0.5P на слой GaAs пассивирует его поверхность. На слоях с такой поверхностью обнаружено значительное уменьшение плотности поверхностных состояний и изгиба зон, увеличение интенсивности краевой фотолюминесценции и фотомагнитного тока, а также подавление его полевой (аномальной) компоненты. Эффект пассивации объясняется образованием достаточно совершенной гетерограницы и ограничением рекомбинационных потоков носителей на поверхность барьером гетерослоя.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.