"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов CdTe : Fe и Cd1-xFexTe
Гнатенко Ю.П.1, Фарина И.А.1, Гамерник Р.В.1, Крочук А.С.1, Бабий П.И.1
1Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 марта 1993 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1993 г.

Проведены низкотемпературные исследования оптических (4.2 K) и фотоэлектрических (78 K) свойств кристаллов Cd, легированных Fe (NFe=<1020 см-3) и Cd1-xFexTe (x=<0.025). Установлено, что в кристаллах Cd1-xFexTe имеют место значительные флуктуации концентрации атомов Fe. Существуют макроскопические области кристалла, где образуются полупроводниковые твердые растворы замещения, и которые находятся в объеме кристалла с очень неравномерным распределением Fe. Атомы Fe в исследуемых кристаллах находятся в основном в двухзарядовом состоянии. Определены концентрационная зависимость энергетического положения свободного экситона, а также положение основного состояния иона Fe2+ в CdTe (Ec-1.08 эВ). Показано, что кристаллы CdTe : Fe (NFe=1020 см-3) представляют собой твердые растворы замещения, которые значительно более однородны, чем Cd1-xFexTe. Высокотемпературный отжиг кристаллов Cd1-xFexTe в парах Cd приводит к разрушению областей твердого раствора замещения и образованию примесных кластеров. В случае кристаллов CdTe : Fe (NFe=1020 см-3) такой отжиг приводит к некоторому уменьшению концентрации Fe в твердом растворе и улучшению структуры кристаллов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.