"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Структура центров свечения в кристаллах ZnSe
Ембергенов Б.1, Корсунская Н.Е.1, Рыжиков В.Д.1, Гальчинецкий Л.П.1, Лисецкая Е.К.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 31 октября 1992 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1993 г.

Исследованы спектры возбуждения полос люминесценции 0.62 и 0.96 мкм в кристаллах ZnSe в диапазоне температур 77-350 K. Показано, что спектры возбуждения этих полос содержат несколько максимумов вблизи края фундаментального поглощения, обусловленных возбуждением мелких акцепторов, расположенных вблизи центров свечения, и переходом возникающей на них неравновесной дырки на центр свечения. Определено энергетическое положение мелких акцепторов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.