"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства эпитаксиального арсенида индия, легированного редкоземельными элементами
Баранов А.Н.1, Воронина Т.И.1, Лагунова Т.С.1, Сиповская М.А.1, Шерстнев В.В.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев арсенида индия, полученных методом жидкофазной эпитаксии и легированных редкоземельными элементами (иттербием и гадолинием), а также редкоземельными элементами (РЗЭ) в комбинации со свинцом, который использовался в качестве нейтрального растворителя. Показано, что легирование РЗЭ во многом аналогично действию свинца: уменьшается концентрация доноров за счет связывания мелких примесей. При оптимальной концентрации РЗЭ был получен чистый материал с концентрацией электронов n=6· 1015 см-3 и подвижностью u77= 91 000 см2/В·с. При одновременном использовании РЗЭ и Pb получен сильно компенсированный материал с концентрацией электронов n~= 2· 1015 см-3.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.