"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фоточувствительность поверхностно-барьерных структур на основе InP с микрорельефной границей раздела
Басюк Е.В.1, Дмитрук Н.Л.1, Маева О.И.1
1Институт полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Выставление онлайн: 17 февраля 1993 г.

Исследована фоточувствительность поверхностно-барьерных структур (ПБС) на основе InP с промежуточным тонким слоем собственного окисла (d~ 50/60 Angstrem). Повышение рентабельности использования падающего излучения осуществлялось путем применения текстурированной (микрорельефной) границы раздела ПБС, а оптимизация рекомбинационных и транспортных свойств (увеличение эффективной высоты барьера, уменьшение обратных темновых токов и плотности поверхностных электронных состояний (ПЭС) достигалось пассивацией границы раздела путем введения между металлом и полупроводником тонких промежуточных слоев собственных гидротермальных окислов и сульфидирования в водном 2N-растворе Na2S·9H2O. Достигнуто увеличение фоточувствительности ПБС в 3/5 раз в актуальной области длин волн (lambda=0.3/ 1.0 мкм) и резкое возрастание фототока в коротковолновой области спектра (lambda<0.5 мкм). Последнее обстоятельство связано с уменьшением рекомбинационных потерь в области пространственного заряда и на границе раздела из-за улучшения ее структуры и электронных свойств в результате анизотропного травления и пассивации ПЭС.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.